Novellus прокладывает медным проводникам дорогу к 32 нм
Компания Novellus Systems официально представила новое поколение промышленной системы, предназначенной для производителей полупроводниковых микросхем.
Компания Novellus Systems официально представила новое поколение промышленной системы, предназначенной для производителей полупроводниковых микросхем.
Главной особенностью новинки является способность обеспечить переход к 45-нм и 32-нм технологическим нормам.
В настоящее время эта система уже используется в производстве по нормам 45 нм, говоря словами официального пресс-релиза, "лидирующим американским производителем DRAM" и "лидирующим американским производителем логических микросхем". Речь идет о системе SABRE Extreme.
В свое время система SABRE стала первой в отрасли серийной системой для медного гальванопокрытия. Когда в 1998 году в производстве полупроводниковых микросхем начался переход от алюминиевых проводников к медным, Novellus Systems смогла воспользоваться ситуацией и захватила инициативу. По данным источника, в 2005 SABRE принадлежало 80% соответствующего рынка, и 9 из 10 ведущих производителей, выпускающих микросхемы с медными проводниками, использовали систему SABRE. В целом по всему миру сейчас работает более 250 таких систем, которые ежегодно обрабатывают 55 миллионов полупроводниковых пластин. Продуманная стратегия Novellus, построенная на обратной совместимости новых версий системы обеспечивает плавный переход к перспективным нормам 45 и 32 нм.
К преимуществам системы SABRE Extreme производитель относит усовершенствованный процесс химической обработки, получивший название Viaform Extreme, способный обеспечить повышенные показатели заполнения узких, вытянутых вертикально элементов, что крайне необходимо для 45-нм и 32-нм процессов. Кроме того, в ячейках для электролиза применены современные наработки в области создания мембран, что позволило повысить эффективность работы оборудования и снизить стоимость расходных материалов вдвое. Отмечается также, что в системе SABRE Extreme удалось уменьшить физические размеры "полей" по краю пластины, что позволило увеличить полезную площадь кристалла примерно на 1% и повысить выход готовой продукции в расчете на одну пластину.

Комментарии
0Комментариев пока нет. Начните обсуждение.