В смартфоне теперь поместится больше памяти

Intel и Micron объявили о переходе на 20-нанометровый технологический процесс и представили первый тестовый образец чипа NAND-памяти объемом 8 Гб.

Этот чип флеш-памяти с многоуровневой структурой ячеек (MLC) занимает площадь всего 118 квадратных миллиметров, что позволяет ему занимать на 30-40% меньше места на плате.

Совместная разработка Intel и Micron означает, что внутренняя память в смартфонах, планшетах и твердотельных накопителях (SSD) совсем скоро будет обладать большей емкостью. Массовое производство новых чипов планируется наладить во второй половине 2011 года, сообщается в официальном пресс-релизе.

Обе компании также планируют представить чип объемом 16 Гб, который позволят вместить NAND-память емкостью 128 Гб в устройство, меньшее по размеру, чем обычная почтовая марка США. Флеш-память будет выпускаться совместным предприятием IM Flash Technologies.

До этого самые компактные чипы NAND-памяти, изготавливаемые по 24-нанометровому процессу, выпускались совместным предприятием SanDisk и Toshiba. В январе прошлого года Intel и Micron впервые начали производство флеш-чипов по 25-нанометровому процессу. Две недели назад Intel выпустил SSD-накопители третьего поколения. с объемом памяти до 600 Гб.