31 декабря, 12:40
Южнокорейская фирма Samsung заявила о том, что скоро начинает производство первых микросхем мобильной памяти на подобии LPDDR4 с плотностью 8 Гбит.
В собственном пресс-релизе фирма отметила, что новейший стандарт изготавливается с соблюдением научно-технических норм 20-нм-класса, действенная частота данной памяти составляет 3200 МГц. Это в два раза превосходит возможности микросхем на подобии LPDDR3, издаваемых по подобной технологии.
В Samsung помимо прочего сообщили о том, что один модуль может уместить внутри себя до 4 кристаллов общим объемом 4 Гбайт. Энергопотребление новейшего решения понизилось на 40%.
Массовое создание таких планок мобильной памяти Samsung развернет в первых числах 2014 г. При всем этом некоторые СМИ уже сообщают о том, что новый телефон Galaxy S5 получит 4 Гбайт оперативной памяти. Последнее кроме того значит, что прибор будет основан на 64-разрядном процессоре, который может быть представлен в январе.
Припомним, что глобальное создание мониторов для новейшего флагмана Samsung уже запустила. Об этом стало известно на минувшей неделе. Портал DDaily извещает, что видимая рабочая зона монитора нового флагмана от Samsung будет иметь диагональ 5,2 дюйма, а структура "бриллиантовых" пикселей будет позаимствована у Galaxy S4 и Galaxy Note 3. Это, как и раньше, поспособствует улучшению четкости изображения.
Разрешение AMOLED-дисплея Galaxy S5 составит 2560 х 1440 точек. Плотность размещения пикселей при объявленных данных вырастет до 560 точек на дюйм. Для новинки кроме того будет поставляться LCD-версия дисплея с аналогичным разрешением.
Южнокорейская фирма Samsung заявила о том, что скоро начинает производство первых микросхем мобильной памяти на подобии LPDDR4 с плотностью 8 Гбит.